[发明专利]一种强制对流生长晶体硅的方法及其装置有效
| 申请号： | 201610581744.6 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN106012007B | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 尹长浩;熊震;刘超 | 申请（专利权）人： | 天合光能股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所33233 | 代理人： | 郭小丽 |
| 地址： | 213031 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种强制对流生长晶体硅的方法及装置，通过在多晶硅铸锭过程中，在硅熔体中通过机械搅拌直接引入强制对流，降低硅熔体水平温度梯度，提供分凝作用的排杂效果，使用氮化硅作为制作搅拌硅熔体的叶轮和支撑轴；同时，在晶体生长过程中通过氮化硅叶轮的降低来测量晶体生长速率，在不污染及硅熔体的基础上实现对晶体生长速率的测量，从而改善后续晶体生长条件；随着晶体不断生长，调节叶轮的转速和距离晶体的高度，从而维持晶体上方硅熔体的稳定对流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 强制 对流 生长 晶体 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
一种强制对流生长晶体硅的方法，包括如下步骤：S1：将硅料加入铸锭炉，开始硅料的熔化步骤，待硅料完全熔化后，边旋转边将氮化硅叶轮逐渐浸入硅熔体中；S2：降低铸锭炉底部的温度，开始晶体生长，在硅熔体的底部逐渐形成硅晶体，间隔固定时间停止氮化硅叶轮转动并降低氮化硅叶轮高度，通过测量氮化硅叶轮的下降幅度测量晶体生长高度，然后提升氮化硅叶轮至距离硅晶体上部3‑8cm，缓慢增加氮化硅叶轮转速，并维持恒定；S3：随着长晶高度的不断增加，不断提升氮化硅叶轮的高度，并始终保持氮化硅叶轮高于硅熔体底部；S4：根据测算得到晶体的实际生长速率，调节后续的降温工艺条件，从而获得最佳晶体的生长条件。
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