[发明专利]一种制备光纤预制棒的方法有效
申请号: | 201610582825.8 | 申请日: | 2016-07-22 |
公开(公告)号: | CN106219962B | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | 陈刚;朱继红;汪洪海;王瑞春;邱文斌 | 申请(专利权)人: | 长飞光纤光缆股份有限公司 |
主分类号: | C03B37/018 | 分类号: | C03B37/018 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 张秋燕;胡建平 |
地址: | 430073 湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种制备光纤预制棒的方法,采用气相沉积法制备光纤预制棒的芯层和包层,其特征在于芯层沉积原料供给源的SiCl4中添加有碱金属原料;沉积芯层时,SiCl4挥发成气体并携带碱金属原料进入沉积反应区域。本发明直接采用的芯层沉积原料供给源的SiCl4中添加有碱金属原料,直接从原料源头添加碱金属掺杂剂,通过气相沉积法在芯层掺入碱金属,相比较于玻璃管内扩散法加入碱金属原料的手段更简单,更易于操作,无需额外使用热源对碱金属原料进行加热,大大节约了能耗,可以克服玻璃管内扩散法碱金属分布不均匀的问题,明显降低光纤衰减。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 光纤 预制 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制备光纤预制棒的方法,采用气相沉积法制备光纤预制棒,包括沉积芯层和包层,其特征在于芯层沉积原料供给源的SiCl4中添加有碱金属原料;沉积芯层时,SiCl4挥发成气体并携带碱金属原料进入沉积反应区域沉积成掺碱芯层;所述的芯层沉积原料供给源每30kg液态SiCl4中添加5‑1000g碱金属原料;所述的碱金属原料的纯度大于99.9%,所述的碱金属原料为碱金属和卤素的化合物,即碱金属卤化物,或者所述的碱金属原料为Na2CO3或者KNO3或者Na2SO3;所述的SiCl4和碱金属原料混合于容器中,所述容器的工作环境温度为45‑55℃;所述芯层沉积原料供给源包括SiCl4和O2,分别通过气体管道通入沉积反应区域完成气相沉积反应;所述芯层沉积原料供给源还包括GeCl4、C2F6和SF6中的一种或几种的组合,分别通过气体管道通入沉积反应区域完成气相沉积反应。
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