[发明专利]一种高可靠抗辐照瞬变电压抑制二极管的制造方法

摘要

本发明提供的一种高可靠抗辐照瞬变电压抑制二极管的制造方法，采用钼或钨作为电极引线，管芯采用铝作为焊料，芯片采用深结扩散工艺，台面造型为正斜角造型，该芯片结构降低表面电场，同时在进行玻璃钝化封装前，采用酸、碱腐蚀工艺及钝化工艺对芯片台面进行保护，然后采用特殊玻璃粉进行高温钝化封装成型；本发明芯片成正斜角，降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的雪崩击穿性能，提升产品的可靠性；由于钝化层较厚，同时具有一定的含铅量使产品能在辐照条件下稳定工作。

主权项

1.一种高可靠抗辐照瞬变电压抑制二极管的制造方法，其工艺步骤为：a)采用0.002～5.5Ω·cm的N型单晶硅片将其磨片至245±5μm后采用磷、硼纸源扩散形成P+N‑N+的芯片结构，在硼扩散后将芯片进行喷砂处理去除芯片硼面的硼硅玻璃，再通过电子束蒸发在PN结的P面和N面制备铝或银的金属薄膜层；b)通过吹砂切割将镀有金属薄膜层的单晶硅片吹砂成型成截面为梯形台面的管芯；c)采用清洗剂对切割好的管芯进行腐蚀清洗8～10min，腐蚀完成后的管芯用丙酮进行超声波清洗15～25min，再用酒精进行超声波清洗12～18min，然后脱水、烘干；d)通过高温烧结将电极与金属引线烧焊成一个整体的电极引线，再将电极引线、管芯、电极引线依次竖直叠放到石墨模具中，再将石墨模具放入真空烧结炉中将电极引线和管芯进行熔焊键和；e)将烧焊后的二极管插入腐蚀盘中使用酸腐蚀液对其进行腐蚀两次每次5min，腐蚀完成后使用离子水清洗；f)将酸腐蚀后的二极管放入碱腐蚀液中腐蚀清洗2～5min，去除后用冷、热去离子水交替冲洗10次；g)将酸腐蚀后的二极管放入温度为55～60℃的钝化液中钝化1～3min；h)将碱腐蚀清洗后的二极管装载在石墨条上，台面上采用自动涂粉及均匀涂覆颗粒度在800目以上的玻璃粉浆，形成均匀的球体，涂粉后送入低温成型炉中进行成型2～3h。