[发明专利]由暗场电子全像以高解析度产生不失真暗场应变图的方法

摘要

本发明公开由暗场电子全像以高解析度产生不失真暗场应变图的方法，具体涉及一种用于测量半导体材料或其它晶体材料的应变的线内暗场全像方法，其使用具有用于使电子射束穿过应变及无应变样本的电子枪的穿透式电子显微镜。于磁倾斜线圈与该样本之间的聚光迷你‑透镜在穿过该对样本之前以一角度增加该射束的偏斜。第一物镜透镜形成各该样本的虚拟影像，而第二物镜透镜将各该样本的该虚拟影像聚焦在中介影像平面，以形成各该样本的中介影像。双棱镜在该样本之间产生形成于该影像平面的干涉图案，接着可观察该干涉图案以判断该应变样本的应变程度，并提供具有最小光学失真的无慧星像差的应变图。

主权项

1.一种用于测量半导体材料或其它晶体材料的应变的线内暗场全像方法，其包括：设置穿透式电子显微镜，其具有：电子枪，用于让电子射束沿着该穿透式电子显微镜的光学轴穿过至少一个样本；磁倾斜线圈，用于使该电子射束以一角度相对于该光学轴偏斜；沿着该电子射束的轴的隔开的第一及第二物镜透镜；以及双棱镜，用于将该电子射束中穿透该样本的一部分与绕过该样本的一部分结合；于该磁倾斜线圈与该样本之间设置聚光迷你‑透镜，用于增加该电子射束以该角度相对于该光学轴的偏斜；提供该半导体材料的一对样本，其中一个样本具有待测量的应变晶体结构，而另一样本具有无应变晶体结构；在有该磁倾斜线圈的情况下，该电子射束以该角度相对于该光学轴偏斜；在有该聚光迷你‑透镜的情况下，在穿过该对样本之前，以一额外、较高角度相对于该光学轴偏斜来自该磁倾斜线圈的该电子射束；以该第一物镜透镜形成各该样本的虚拟影像；以该第二物镜透镜将各该样本的该虚拟影像聚焦在中介影像平面，以形成各该样本的中介影像；以该双棱镜导致各该样本的该中介影像重叠，使得该样本之间的干涉图案形成于该中介影像平面；以及观察该干涉图案且判断该样本的应变程度。