[发明专利]基于金属诱导结晶工艺的LTPS TFT的制作方法

摘要

本发明提供一种基于金属诱导结晶工艺的LTPS TFT的制作方法，采用金属诱导结晶工艺形成多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜的顶部为含有大量金属离子的具有导电性质的金属硅化物层，然后采用半色调掩膜板对所述多晶硅薄膜进行图案化处理形成有源层，使沟道部上的金属硅化物层被蚀刻掉，从而达到减小LTPS TFT器件在关态时的漏电流的目的，而源极接触部与漏极接触部上的金属硅化物层被保留，从而达到减小LTPS TFT器件中有源层与源漏极的接触阻抗的目的。

主权项

一种基于金属诱导结晶工艺的LTPS TFT的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供衬底基板(10)，在衬底基板(10)上沉积缓冲层(20)，在缓冲层(20)上沉积金属诱导层(35)；步骤2、在金属诱导层(35)上沉积非晶硅薄膜(36)，利用金属诱导层(35)对非晶硅薄膜(36)进行金属诱导结晶化，在金属诱导结晶化过程中，金属诱导层(35)诱导非晶硅薄膜(36)自下向上结晶形成多晶硅薄膜(30)，金属诱导层(35)向上迁移至多晶硅薄膜(30)的顶部并与其结合形成金属硅化物层(31)；步骤3、提供一半色调掩膜板(90)，采用该半色调掩膜板(90)对所述多晶硅薄膜(30)进行图案化处理，得到有源层(33)，所述有源层(33)包括位于两端的源极接触部(331)与漏极接触部(332)、及位于所述源极接触部(331)与漏极接触部(332)之间的沟道部(333)，其中，所述源极接触部(331)与漏极接触部(332)上的金属硅化物层(31)被保留，所述沟道部(333)上的金属硅化物层(31)被蚀刻掉；步骤4、在所述有源层(35)、及缓冲层(20)上沉积栅极绝缘层(40)，在所述栅极绝缘层(40)上沉积并图案化第一金属层，得到对应于所述沟道部(333)上方的栅极(45)；步骤5、在所述栅极(45)、及栅极绝缘层(40)上沉积层间绝缘层(50)，在所述层间绝缘层(50)上沉积并图案化第二金属层，得到源极(61)与漏极(62)。