[发明专利]TFT基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种TFT基板及其制作方法。本发明的TFT基板的制作方法，通过在层间介电层上形成数个凹槽之后再进行退火处理，可通过数个凹槽释放层间介电层因热膨胀产生的应力，防止层间介电层从基板上脱落，提高TFT基板的电学性能和可靠性。本发明的TFT基板，通过在层间介电层上形成数个凹槽，可防止在TFT基板的制程中层间介电层从基板上脱落，提高TFT基板的电学性能和可靠性。

主权项

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板，在所述基板上形成缓冲层，在所述缓冲层上形成有源层；步骤2、在所述有源层、及缓冲层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成对应于有源层的栅极；对所述有源层进行离子注入，形成离子重掺杂区；步骤3、在所述栅极、及栅极绝缘层上形成层间介电层，在所述层间介电层上形成数个凹槽；对整个基板进行退火处理，以对有源层进行离子激活和氢化处理；步骤4、在所述层间介电层及栅极绝缘层上形成对应于所述有源层的离子重掺杂区上方的源极接触孔与漏极接触孔；步骤5、在所述层间介电层上形成源极和漏极，所述源极、漏极分别通过源极接触孔、漏极接触孔与所述有源层的离子重掺杂区相接触。