[发明专利]一种改善圆晶片内膜厚均匀性的方法有效
| 申请号： | 201610584924.X | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN105977140B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 郎玉红;祁鹏;张召;王智 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/34;C23C16/52 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改善圆晶片内膜厚均匀性的方法，包括：第一步骤：将炉管中的处理温度设置为预定初始工艺温度；第二步骤：在从预定初始工艺温度开始以预定降温速度将温度降温至预定下降温度的过程中，对炉管中的硅片进行材料沉积；第三步骤：在从预定下降温度开始以预定升温速度将温度升温至预定上升温度的过程中，对炉管中的硅片进行材料沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 晶片 内膜 均匀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善圆晶片内膜厚均匀性的方法，其特征在于包括：第一步骤：将炉管中的处理温度设置为预定初始工艺温度；第二步骤：在从预定初始工艺温度开始以预定降温速度将温度降温至预定下降温度的过程中，对炉管中的硅片进行材料沉积；第三步骤：在从预定下降温度开始以预定升温速度将温度升温至预定上升温度的过程中，对炉管中的硅片进行材料沉积，所述预定初始工艺温度等于所述预定上升温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
