[发明专利]具有双外延层结构的CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种具有双外延层结构的CMOS图像传感器及其制造方法。本发明的具有双外延层结构的CMOS图像传感器包括：依次层叠的P型重掺杂的衬底、第一层P型轻掺杂外延层和第二层P型轻掺杂外延层；其中，第一层P型轻掺杂外延层中形成有下部N阱和下部P阱，第二层P型轻掺杂外延层中形成有上部N阱和上部P阱；其中下部N阱和上部N阱位置对应并且邻接，下部P阱和上部P阱位置对应并且邻接。

主权项

1.一种具有双外延层结构的CMOS图像传感器，其特征在于包括：依次层叠的P型重掺杂的衬底、第一层P型轻掺杂外延层和第二层P型轻掺杂外延层；其中，第一层P型轻掺杂外延层中形成有下部N阱和位于所述下部N阱两侧的下部P阱，所述下部N阱与一侧的下部P阱相接，与另一侧的下部P阱之间间隔有相应的区域，所述下部N阱和下部P阱是通过在形成所述第二层P型轻掺杂外延层之前，先后从所述第一层P型轻掺杂外延层的上表面进行离子注入而分别形成的，第二层P型轻掺杂外延层中形成有上部N阱和位于所述上部N阱两侧的上部P阱，所述上部N阱与一侧的上部P阱相接，与另一侧的上部P阱之间间隔有相应的区域，所述上部N阱和上部P阱是通过先后从所述第二层P型轻掺杂外延层的上表面进行离子注入而分别形成的；其中下部N阱和上部N阱位置对应并且相接，下部P阱和上部P阱位置对应并且相接。