[发明专利]一种用于打线封装的半导体结构有效
| 申请号： | 201610585074.5 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN106057759B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 陈敏;徐远;欧新华;袁琼;符志岗;刘宗金 | 申请（专利权）人： | 上海芯导电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种用于打线封装的半导体结构，包括：衬底，所述衬底上分布有若干压焊区；氧化层，覆盖于所述衬底的部分上表面且暴露所述若干压焊区；金属薄膜，覆盖于所述压焊区之上以及与所述压焊区临近的部分所述氧化层的上表面；钝化层，覆盖于暴露的所述氧化层的上表面以及与所述暴露的氧化层临近的部分所述金属薄膜的上表面，所述钝化层暴露位于所述压焊区之上的金属薄膜，以用于打线封装。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 封装 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于打线封装的半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上分布有若干压焊区；氧化层，覆盖于所述衬底的部分上表面且暴露所述若干压焊区；金属薄膜，覆盖于所述压焊区之上以及与所述压焊区临近的部分所述氧化层的上表面；钝化层，覆盖于暴露的所述氧化层的上表面以及与所述暴露的氧化层临近的部分所述金属薄膜的上表面，所述钝化层暴露位于所述压焊区之上的金属薄膜，以用于打线封装；其中，所述金属薄膜为铝铜合金；黏附层，覆盖于所述压焊区的上表面，且所述金属薄膜覆盖于所述黏附层之上以及与所述压焊区临近的部分所述氧化层的上表面；其中，所述黏附层用于增强所述金属薄膜与所述衬底之间的附着力；所述黏附层的材质为Ti；所述衬底为Si衬底，所述Ti与所述Si反应生成TiSi2，以降低打线封装时的接触电阻；在所述铝铜合金中，铝的重量比例为0.5％；位于所述压焊区之上的所述金属薄膜的厚度为3μm；所述黏附层的厚度为![]()
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