[发明专利]光电器件有效
| 申请号： | 201610585145.1 | 申请日： | 2013-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN106684246B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 亨利·詹姆斯·施耐德;爱德华·詹姆斯·威廉·克罗斯兰德;安德鲁·海伊;詹姆斯·鲍尔;迈克尔·李;巴勃罗·多卡摩波 | 申请（专利权）人： | 牛津大学科技创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李雪;姚开丽 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明提供一种包括光活性区域的光电器件，该光活性区域包括：包括至少一个n型层的n型区域；包括至少一个p型层的p型区域；以及设置在n型区域与p型区域之间的：没有开口孔隙率的钙钛矿半导体的层。该钙钛矿半导体通常吸收光。在一些实施方式中，设置在n型区域与p型区域之间的是：(i)包括支架材料和钙钛矿半导体的第一层，该支架材料典型地是多孔的，并且该钙钛矿半导体典型地被设置在支架材料的孔中；以及(ii)设置在所述第一层上的封盖层，该封盖层是所述没有开口孔隙率的钙钛矿半导体的层，其中封盖层中的钙钛矿半导体与第一层中的钙钛矿半导体接触。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 器件 | ||
【主权项】：
1.一种光伏器件，包括光活性钙钛矿半导体的致密层，其中，所述光活性钙钛矿半导体为三维晶体结构，并且所述光活性钙钛矿半导体的致密层设置在n型区域和p型区域之间，并且与所述n型区域和所述p型区域中的一个或两个形成平面异质结。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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H01L51-52 ..器件的零部件
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