[发明专利]带次分辨率辅助图形的冗余图形添加方法在审
| 申请号： | 201610585198.3 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN106094424A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 蒋斌杰;于世瑞;毛智彪;张瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/38 | 分类号： | G03F1/38 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种带次分辨率辅助图形的冗余图形添加方法，包括：第一步骤：获得原始设计图形和所有避让层的设计版图，并通过逻辑运算标记出设计版图中允许加入冗余图形的冗余区域；第二步骤：在计算机中使用设计规则检查工具在冗余区域内添加长方形冗余图形；第三步骤：将设计版图划分成多个独立区域，使用计算机计算出每个独立区域内设计图形加上长方形冗余图形后的区域密度；第四步骤：调整独立区域的区域密度；第五步骤：使用设计规则检查工具添加次分辨率辅助图形。 | ||
| 搜索关键词： | 分辨率 辅助 图形 冗余 添加 方法 | ||
【主权项】：
一种带次分辨率辅助图形的冗余图形添加方法，其特征在于包括：第一步骤：获得原始设计图形和所有避让层的设计版图，并通过逻辑运算标记出设计版图中允许加入冗余图形的冗余区域；第二步骤：在计算机中使用设计规则检查工具在冗余区域内添加长方形冗余图形；第三步骤：将设计版图划分成多个独立区域，使用计算机计算出每个独立区域内设计图形加上长方形冗余图形后的区域密度；第四步骤：调整独立区域的区域密度；第五步骤：使用设计规则检查工具添加次分辨率辅助图形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610585198.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：护胃麦片
- 下一篇：一种实现具有TRIP效应的中锰钢件性能梯度分布的方法
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
