[发明专利]具有双栅极的鳍式场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201610585517.0 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN106129109B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有双栅极的鳍式场效应晶体管及其制造方法。利用硬质掩膜在衬底上形成鳍结构，并且在衬底上沉积氧化硅层并且研磨氧化硅层直到露出硬质掩膜；继续研磨氧化硅层直到露出鳍结构的一部分侧壁；在暴露的鳍结构的侧壁部分上形成第一栅极介电层；在衬底上沉积第一栅极材料层；在衬底上沉积牺牲氧化硅层，并且研磨牺牲氧化硅层直到露出第一栅极材料层；对第一栅极材料层进行回蚀以去除超出牺牲氧化硅层底部的第一栅极材料层部分；去除牺牲氧化硅层；在暴露的鳍结构的侧壁部分上以及第一栅极材料层表面形成第二栅极介电层；在衬底上沉积第二栅极材料层；对第一栅极材料层和第二栅极材料层进行图案化以得到第一栅极和第二栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有双栅极的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：第一步骤：利用硬质掩膜在衬底上形成鳍结构，并且在衬底上沉积氧化硅层并且研磨氧化硅层直到露出硬质掩膜；第二步骤：继续研磨氧化硅层直到露出鳍结构的一部分侧壁；第三步骤：在暴露的鳍结构的侧壁部分上形成第一栅极介电层；第四步骤：在衬底上沉积第一栅极材料层；第五步骤：在衬底上沉积牺牲氧化硅层，并且研磨牺牲氧化硅层直到露出第一栅极材料层；第六步骤：对第一栅极材料层进行回蚀以去除超出牺牲氧化硅层底部的第一栅极材料层部分；第七步骤：去除牺牲氧化硅层以暴露第一栅极材料层的表面，并暴露鳍结构的部分侧壁；第八步骤：在暴露的鳍结构的侧壁部分上以及第一栅极材料层表面形成第二栅极介电层；第九步骤：在衬底上沉积第二栅极材料层；第十步骤：对第一栅极材料层和第二栅极材料层进行图案化，以得到第一栅极和第二栅极，且第一栅极和第二栅极沿鳍结构的高度方向上下排列并用于对鳍结构施加不同的电压，第一栅极还作为控制栅并用于调节第二栅极的工作电压。
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