[发明专利]多重图形化方法在审
| 申请号： | 201610585518.5 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN106057657A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种多重图形化方法，包括：第一步骤：在衬底上依次形成硬质掩膜层和多晶硅层；对多晶硅层进行图形化以形成多晶硅鳍结构；对多晶硅鳍结构的顶部表面和第一侧壁表面进行表面处理，对多晶硅鳍结构的第二侧壁表面不进行表面处理；形成侧墙材料层，在多晶硅的两个侧壁上形成不同厚度的侧墙材料层；对侧墙材料层进行刻蚀，从而在多晶硅鳍结构的第一侧壁上形成第一厚度的第一侧墙部分，而且在多晶硅鳍结构的第二侧壁上形成与第一厚度不同的第二厚度的第二侧墙部分；去除多晶硅鳍结构。 | ||
| 搜索关键词： | 多重 图形 方法 | ||
【主权项】：
一种多重图形化方法，其特征在于包括：第一步骤：在衬底上依次形成硬质掩膜层和多晶硅层；第二步骤：对多晶硅层进行图形化以形成多晶硅鳍结构；第三步骤：对多晶硅鳍结构的顶部表面和第一侧壁表面进行表面处理，对多晶硅鳍结构的第二侧壁表面不进行表面处理；第四步骤：形成侧墙材料层，在多晶硅的两个侧壁上形成不同厚度的侧墙材料层；第五步骤：对侧墙材料层进行刻蚀，从而在多晶硅鳍结构的第一侧壁上形成第一厚度的第一侧墙部分，而且在多晶硅鳍结构的第二侧壁上形成与第一厚度不同的第二厚度的第二侧墙部分；第六步骤：去除多晶硅鳍结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610585518.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于窗帘拉绳的调节装置及收放式窗帘
- 下一篇：一种偏振片透振方向检测仪
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
