[发明专利]全包围栅极鳍式场效应晶体管结构制作方法有效
| 申请号： | 201610585546.7 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN105977163B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种全包围栅极鳍式场效应晶体管结构制作方法，包括：在衬底上形成鳍结构，并且在衬底上沉积氧化硅层并且对氧化硅层进行表面平坦化直到露出硬质掩膜；对氧化硅层进行第一次氧化硅回刻，以暴露出上部鳍段；对上部鳍段的侧面及上表面进行非晶化离子注入，以便在上部鳍段的表面形成非晶硅层；对氧化硅层进行第二次氧化硅回刻，以进一步暴露出中部鳍段；以非晶硅层作为上部鳍段针对选择性湿法刻蚀的保护层，采用所述选择性湿法刻蚀去掉中部鳍段，而保留上部鳍段，由此形成悬空结构；去掉上部鳍段表面的非晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 包围 栅极 场效应 晶体管 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种全包围栅极鳍式场效应晶体管结构制作方法，其特征在于包括：第一步骤：在衬底上形成鳍结构，并且在衬底上沉积氧化硅层并且对氧化硅层进行表面平坦化直到露出硬质掩膜；第二步骤：对氧化硅层进行第一次氧化硅回刻，以暴露出上部鳍段；第三步骤：对上部鳍段的侧面及上表面进行非晶化离子注入，以便在上部鳍段的表面形成非晶硅层；第四步骤：对氧化硅层进行第二次氧化硅回刻，以进一步暴露出中部鳍段；第五步骤：以非晶硅层作为上部鳍段针对选择性湿法刻蚀的保护层，采用所述选择性湿法刻蚀去掉中部鳍段，而保留上部鳍段，由此形成悬空结构；第六步骤：去掉上部鳍段表面的非晶硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610585546.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
