[发明专利]用于执行版图OPC处理的方法有效
申请号: | 201610585550.3 | 申请日: | 2016-07-22 |
公开(公告)号: | CN106094421B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 孟鸿林;魏芳;何大权 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种用于执行版图OPC处理的方法,包括:系统接收集成电路的版图布局数据;系统将集成电路的版图布局数据切割成多个初始版图布局图形;系统确定切割后每一个初始版图布局图形的第一图形密度;系统调用建立OPC处理模型时所对应的第二图形密度;系统根据第二图形密度和第一图形密度的差值大小在版图布局数据上添加亚分辨率辅助图形以得到新版图数据;系统确定添加亚分辨率图形之后得到的新版图数据的新图形密度;系统调用OPC处理模型对新版图数据进行OPC处理并得到最终版图布局;系统将每一块经过处理好之后的版图布局进行拼接;系统将拼接的总版图布局存储起来做为预备掩膜版数据。 | ||
搜索关键词: | 用于 执行 版图 opc 处理 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于执行版图OPC处理的方法,其特征在于包括:第一步骤:系统接收集成电路的版图布局数据;第二步骤:系统将集成电路的版图布局数据切割成多个初始版图布局图形;第三步骤:系统确定切割后每一个初始版图布局图形的第一图形密度;第四步骤:系统调用建立OPC处理模型时所对应的第二图形密度;第五步骤:系统根据第二图形密度和第一图形密度的差值大小在版图布局数据上添加亚分辨率辅助图形以得到新版图数据;具体的,系统根据第二图形密度和第一图形密度的差值的正负号以及差值的绝对值添加预定亚分辨率辅助图形,其中如果第二图形密度和第一图形密度的差值是正值则添加负型的亚分辨率辅助图形,如果第二图形密度和第一图形密度的差值是负值则添加正型的亚分辨率辅助图形;第六步骤:系统确定添加亚分辨率图形之后得到的新版图数据的新图形密度;第七步骤:系统调用OPC处理模型对新版图数据进行OPC处理并得到最终版图布局;第八步骤:系统将每一块经过处理好之后的版图布局进行拼接;第九步骤:系统将拼接的总版图布局存储起来做为预备掩膜版数据。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备