[发明专利]一种用于激光直写曝光机的高功率紫外半导体激光器有效
申请号: | 201610586075.1 | 申请日: | 2016-07-22 |
公开(公告)号: | CN106019859B | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | 张宽 | 申请(专利权)人: | 合肥芯碁微电子装备有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01S5/40 |
代理公司: | 合肥天明专利事务所(普通合伙)34115 | 代理人: | 张祥骞,奚华保 |
地址: | 230088 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于激光直写曝光机的高功率紫外半导体激光器,与现有技术相比解决了尚无高功率紫外半导体激光器的缺陷。本发明的上排半导体发光阵列包括16个上光纤耦合模块,下排半导体发光阵列包括16个下光纤耦合模块,16个上光纤耦合模块和16个下光纤耦合模块上均接有光纤;16个上光纤耦合模块所接的光纤捆绑成二号光纤束,二号光纤束接入二号光纤输出端口,16个下光纤耦合模块所接的光纤捆绑成一号光纤束,一号光纤束接入一号光纤输出端口。本发明将相应波段半导体发光二极管发出的光通过非球面耦合透镜收进光纤,再对相应波段的光纤进行一定比例的搭配捆绑,达到同一输出光纤束具有高功率波长的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 激光 曝光 功率 紫外 半导体激光器 | ||
【主权项】:
一种用于激光直写曝光机的高功率紫外半导体激光器,包括壳体(11),其特征在于:所述的壳体(11)内安装有上排半导体发光阵列(12)和下排半导体发光阵列(13),壳体(11)的侧部设有一号光纤输出端口(7)和二号光纤输出端口(8),上排半导体发光阵列(12)和下排半导体发光阵列(13)分别位于一号光纤输出端口(7)的两侧;上排半导体发光阵列(12)包括16个上光纤耦合模块(6),下排半导体发光阵列(13)包括16个下光纤耦合模块(5),16个上光纤耦合模块(6)和16个下光纤耦合模块(5)上均接有光纤(4);16个上光纤耦合模块(6)所接的光纤(4)捆绑成二号光纤束(16),二号光纤束(16)接入二号光纤输出端口(8),16个下光纤耦合模块(5)所接的光纤(4)捆绑成一号光纤束(15),一号光纤束(15)接入一号光纤输出端口(7);还包括安装在壳体(11)内的循环水冷却装置,所述的循环水冷却装置包括进水管(21)、出水管(22)、上导热铜块(23)和下导热铜块(20),所述的进水管(21)和出水管(22)均安装在壳体(11)的同一侧部,进水管(21)通过上直通快速接头(24)安装在上导热铜块(23)的进水口上,上导热铜块(23)的出水口安装有上直角快速接头(25),上直角快速接头(25)安装在串联冷却水管(26)的一端,串联冷却水管(26)的另一端安装有下直角快速接头(27),下直角快速接头(27)安装在下导热铜块(20)的进水口上,下导热铜块(20)的出水口通过下直通快速接头(28)与出水管(22)相接;所述的上排半导体发光阵列(12)安装在上导热铜块(23)上,所述的下排半导体发光阵列(13)安装在下导热铜块(20)上。
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