[发明专利]基于亲疏水效应制备短沟道薄膜晶体管的方法在审
| 申请号： | 201610586256.4 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN106229410A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 兰林锋;李育智;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人： | 赵蕊红 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种基于亲疏水效应制备短沟道薄膜晶体管的方法，源漏电极采用印刷的方式制备，沟道长度由疏水功能条纹的宽度定义，所述疏水功能条纹由底层的亲水层和上层的疏水层构成。疏水功能条纹及源漏电极制备方法如下：1)在承载体上制备亲水层并进行退火处理；2)在亲水层上喷墨印刷制备具有咖啡环的疏水聚合物线图案；3)对步骤2)所制备的样品进行等离子体处理，经退火处理得到疏水功能条纹；4)在疏水功能条纹上印刷图形宽度大于疏水功能条纹宽度的导电墨水，并经退火形成短沟道对电极；5)去除疏水功能条纹。本发明可以制备微米级甚至亚微米级长度的短沟道对电极，所制备的源漏电极沟道长度分散性小，且工艺简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 亲疏 效应 制备 沟道 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
一种基于亲疏水效应制备短沟道薄膜晶体管的方法，其特征在于：源漏电极采用印刷的方式制备，沟道长度由疏水功能条纹的宽度定义，所述疏水功能条纹由底层的亲水层和上层的疏水层构成。
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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