[发明专利]一种薄膜的喷墨印刷制备方法及薄膜晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201610586257.9 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN106024589A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 兰林锋;李育智;王磊;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人： | 赵蕊红 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种薄膜的喷墨印刷制备方法，通过疏水性的咖啡环网格定义喷墨印刷的薄膜状貌，薄膜的状貌包括薄膜图案、薄膜大小、薄膜厚度或者薄膜形貌中的至少一种。具体制备包括：a.咖啡环网格的制备；b.将墨滴直接喷至咖啡环网格单元内，干燥后经后退火得到固态的薄膜。咖啡环网格为疏水聚合物咖啡环网格或者由下层的亲水聚合物层和上层的疏水聚合物层构成。该工艺可用于制备无机或者有机材料薄膜，所制备的薄膜用于薄膜晶体管的栅极层、介质层、有源层或源/漏电极。本发明有效控制了喷墨印刷中的液滴铺展，同时也解决了所制备膜层的咖啡环问题，可应用于大面积制备薄膜晶体管器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 喷墨 印刷 制备 方法 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜的喷墨印刷制备方法，其特征在于：通过疏水性的咖啡环网格定义喷墨印刷的薄膜状貌。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学，未经华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610586257.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：缩小控制栅接触窗区域尺寸的方法
- 下一篇：一种激光退火设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
