[发明专利]一种耐磨损的TiSiCN膜的制备方法在审
| 申请号： | 201610586570.2 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN107641792A | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 李林;郭立新;李振铎 | 申请（专利权）人： | 北京华石联合能源科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/02 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 | 代理人： | 李敏 |
| 地址： | 100101 北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种耐磨损的TiSiCN膜的制备方法，该方法首创性地以氮气和仅由碳、氢、硅元素组成的有机硅为反应气体溅射Ti靶，从而在基体的外表面形成TiSiCN膜。本发明的制备方法使用的是只含Ti元素的Ti靶，与现有技术中的复合靶相比，本发明的靶材更易于生产且价格低廉；更重要的是，在本发明的磁控溅射过程中可通过调整氮气和有机硅气体的流量来控制Ti、Si、C、N这四种等离子体的比例，因而无需更换靶材即可制得具有不同Ti、Si、C、N含量的TiSiCN膜，由此实现了对TiSiCN膜中各成分的调控，同时也有助于大幅提高TiSiCN膜的生产效率、降低生产成本。并且采用本发明所述的方法制得的TiSiCN膜的硬度高达42GPa、摩擦系数≤0.12、磨损率≤1×10‑9，完全能够满足工件的抗磨损要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐磨 tisicn 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种耐磨损的TiSiCN膜的制备方法，其特征在于，所述方法采用氮气和有机硅为反应气体溅射Ti靶，从而在基体的外表面形成TiSiCN膜；所述有机硅为仅由碳、氢、硅元素组成的化合物。所述基体的材质为金属或合金。
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