[发明专利]具有高阻断特性的SiC基穿通型沟槽MOSFET的制作方法

摘要

一种具有高阻断特性的SiC基穿通型沟槽MOSFET的制作方法，所制作的MOSFET具有较高的阻断能力，包括：在SiC第一导电类型的衬底上外延生长多层不同掺杂的SiC外延层形成SiC基片，自下而上为第一导电类型缓冲层、第一导电类型漂移层、第二导电类型体区层、第一导电类型源区层，其中第一导电类型漂移层厚度满足一定穿通条件；形成主沟槽，主沟槽的两个槽角处具有圆弧化，沟槽底部无圆弧化的结构；刻蚀SiC基片形成终端结构；刻蚀SiC基片形成基区沟槽；在主沟槽中形成包括厚底部二氧化硅层、初级栅氧化层、次级栅氧化层三部分的栅氧化层；形成栅电极；在基区沟槽中形成源极金属接触，在SiC衬底的背面形成漏极金属接触，并形成欧姆接触；淀积钝化层并通孔金属互连。

主权项

1.一种具有高阻断特性的SiC基穿通型沟槽MOSFET的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在SiC第一导电类型的衬底(1)上外延生长多层不同掺杂的SiC外延层，形成层叠结构的SiC基片，自下而上依次为：第一导电类型的缓冲层(2)、第一导电类型的漂移层(3)、第二导电类型的体区层(4)、第一导电类型的源区层(5)，其中第一导电类型的漂移层(3)的厚度满足一定的穿通条件；在所述SiC基片上形成主沟槽(6)，所述主沟槽(6)的侧壁为{11‑20}面系，所述主沟槽的两个槽角(60、61)处具有圆弧化的结构，沟槽底部(63)无圆弧化的结构；刻蚀所述SiC基片，形成终端结构(90、91)；刻蚀所述SiC基片，形成露出所述第二导电类型体区层(4)上表面的基区沟槽(802)；在所述主沟槽(6)中形成包括厚底部二氧化硅层(501)、初级栅氧化层(502)、次级栅氧化层(503)三部分的栅氧化层；在已形成所述栅氧化层的所述主沟槽(6)中形成栅电极(10)；在所述基区沟槽(802)中形成源极金属接触(11)，在所述SiC第一导电类型的衬底(1)的背面形成漏极金属接触(12)，并使其形成欧姆接触；以及在所述栅电极(10)和源极金属接触(11)之上淀积钝化层，并通孔金属互连。