[发明专利]一种成分可调的TiSiCN膜的制备方法在审
| 申请号： | 201610587360.5 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN107641793A | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 李林;李振铎;郭立新 | 申请（专利权）人： | 北京华石联合能源科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/02 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 | 代理人： | 李敏 |
| 地址： | 100101 北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种成分可调的TiSiCN膜的制备方法，该方法首创性地以氮气和仅由碳、氢、硅元素组成的有机硅化合物为反应气体溅射Ti靶，利用反应磁控溅射技术在基体的内表面形成一层TiSiCN膜。由于本发明的制备方法使用的是只含Ti元素的Ti靶，因而与现有技术中的复合靶相比，本发明的靶材更易于生产且价格低廉；更重要的是，在本发明的磁控溅射过程中可以通过调整氮气和有机硅气体的流量来控制Ti、Si、C、N这四种等离子体的比例，因而无需更换靶材即可制得一系列具有不同Ti、Si、C、N含量的TiSiCN膜，由此实现了对TiSiCN膜中各成分的调控，同时也有助于大幅提高TiSiCN膜的生产效率、降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 成分 可调 tisicn 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种成分可调的TiSiCN膜的制备方法，其特征在于，所述方法采用氮气和有机硅为反应气体溅射Ti靶，从而在基体的内表面形成TiSiCN膜；所述有机硅为仅由碳、氢、硅元素组成的化合物；所述基体的材质为金属或合金。
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