[发明专利]像素界定层的制作方法与OLED器件的制作方法有效
申请号: | 201610588747.2 | 申请日: | 2016-07-21 |
公开(公告)号: | CN106129264B | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 周星宇;李松杉 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种像素界定层的制作方法与OLED器件的制作方法。本发明的像素界定层的制作方法,在有机材料坝体的侧面形成无机覆层,得到数条像素隔离坝,然后对数条像素隔离坝进行等离子体疏水处理,使得有机材料坝体的上表面变为疏水性,形成像素界定层,由于像素隔离坝的上表面具有疏水性,可以使墨水能够更好地进入像素凹槽内,不在像素隔离坝的上表面残留,像素隔离坝的侧面为具有亲水性的无机覆层,可以使墨水很好地铺展开,不因为侧面疏水而造成接触角较大,膜厚较薄,另外一方面,像素隔离坝的侧面采用无机材料,相比于有机材料,性能更加稳定,绝缘性更好,与OLED材料接触,可以使OLED材料更加稳定,延长使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 像素隔离 像素界定层 有机材料 上表面 制作 侧面 无机覆层 疏水性 坝体 墨水 等离子体 延长使用寿命 疏水处理 无机材料 接触角 绝缘性 亲水性 膜厚 疏水 像素 残留 | ||
【主权项】:
一种像素界定层的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、提供一TFT基板(10),在所述TFT基板(10)上涂覆形成一层有机材料层,并通过一道黄光制程对其进行图案化处理,形成数条有机材料坝体(21),所述有机材料坝体(21)具有侧面和上表面;步骤2、在所述TFT基板(10)、及数条有机材料坝体(21)上沉积形成一层无机材料层(22’),并通过一道黄光制程对其进行图案化处理,形成覆盖于所述数条有机材料坝体(21)的侧面和上表面上的中间无机材料层(22”);步骤3、通过一道黄光制程对所述中间无机材料层(22”)进行图案化处理,将中间无机材料层(22”)上对应于所述数条有机材料坝体(21)的上表面的部分去除,露出所述数条有机材料坝体(21)的上表面,形成覆盖于所述数条有机材料坝体(21)的侧面上的无机覆层(22),得到数条像素隔离坝,所述数条像素隔离坝在所述TFT基板(10)上围出数个像素凹槽,所述数个像素凹槽的槽壁为无机覆层(22),形成像素界定层(20);步骤4、对所述TFT基板(10)上的像素界定层(20)进行等离子体疏水处理,使得所述数条有机材料坝体(21)的上表面变为疏水性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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