[发明专利]一种带键槽圆轴的半导体激光熔覆方法在审
| 申请号： | 201610589430.0 | 申请日： | 2016-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN106011848A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 段虎明;赵慧峰;王文涛;赵兵兵 | 申请（专利权）人： | 山西玉华再制造科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C24/10 | 分类号： | C23C24/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 046000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种带键槽的圆轴的半导体激光熔覆方法，既能修复失效的轴类零件，又能有效的保护键槽。包括以下步骤：步骤一，对圆轴和键槽进行预处理，所述键槽内放置与所述键槽配套的铝键，获得表面轮廓一致的待熔覆表面；步骤二，采用半导体激光束，对所述待熔覆表面进行激光熔覆，获得过渡层；步骤三，去除所述过渡层表面氧化物，对所述过渡层进行激光熔覆，获得熔覆层；步骤四，从所述键槽中取出所述铝键。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 键槽 半导体 激光 方法 | ||
【主权项】：
一种带键槽圆轴的半导体激光熔覆方法，其特征在于，包括：步骤一，对圆轴和键槽进行预处理，所述键槽内放置与所述键槽配套的铝键，获得表面轮廓一致的待熔覆表面；步骤二，采用半导体激光束，对所述待熔覆表面进行激光熔覆，获得过渡层；步骤三，去除所述过渡层表面氧化物，对所述过渡层进行激光熔覆，获得熔覆层；步骤四，从所述键槽中取出所述铝键。
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