[发明专利]一种基于气相生长原理制备多孔氮化铝的方法在审
| 申请号： | 201610589495.5 | 申请日： | 2016-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN106191998A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 刘学超;王华杰;孔海宽;忻隽;高攀;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B28/12 | 分类号： | C30B28/12;C30B33/02 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于气相生长原理制备多孔氮化铝的方法，包括：采用物理气相输运法将氮化铝粉体与作为造孔剂的碳源高温加热成气相，再进行冷凝结晶，得到碳掺杂氮化铝多晶；将所得碳掺杂氮化铝多晶于空气气氛中，在700～900℃下加热除碳，得到所述多孔氮化铝。本发明利用氮化铝高温升华的特性，从气相生长角度出发，直接将氮化铝放入石墨坩埚中进行加热制备，成功将造孔剂碳掺入氮化铝晶体中，不需要任何添加剂。然后将碳掺入氮化铝晶体在空气气氛中加热除碳，利用氧气，将碳氧化成气相一氧化碳或二氧化碳除去，最终形成多孔结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 相生 原理 制备 多孔 氮化 方法 | ||
【主权项】：
一种基于气相生长原理制备多孔氮化铝的方法，其特征在于，包括：采用物理气相输运法将氮化铝粉体与作为造孔剂的碳源高温加热成气相，再进行冷凝结晶，得到碳掺杂氮化铝多晶；将所得碳掺杂氮化铝多晶于空气气氛中，在700～900℃下加热除碳，得到所述多孔氮化铝。
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