[发明专利]一种整流器有效
| 申请号： | 201610589530.3 | 申请日： | 2016-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN106100394B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 刘阳;詹陈长 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H02M7/219 | 分类号： | H02M7/219;H02M7/23 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种整流器，至少包括单级整流电路；单级整流电路包括第一飞跨电容、第二飞跨电容、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和输出电容；第一NMOS管的衬底和源极电连接至前级电路的第二输出端，且与前级电路的第一输出端绝缘；第二NMOS管的衬底和源极电连接至前级电路的第一输出端，且与前级电路的第二输出端绝缘；第一飞跨电容的第二端电连接信号源的正端，第二飞跨电容的第二端电连接信号源的负端；第一PMOS管的衬底和源极，以及第二PMOS管的衬底和源极电连接后作为单级整流电路的输出端。本发明降低了最低输入电压，提高了整流器在超低电压输入时的功率转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 整流器 | ||
【主权项】：
1.一种整流器，其特征在于，至少包括单级整流电路；所述单级整流电路包括第一飞跨电容、第二飞跨电容、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和输出电容；所述第一NMOS管的衬底和源极电连接至前级电路的第二输出端，且与所述前级电路的第一输出端绝缘，栅极与所述第一PMOS管的栅极电连接至所述第二飞跨电容的第一端，漏极与所述第一PMOS管的漏极电连接至所述第一飞跨电容的第一端；所述第二NMOS管的衬底和源极电连接至所述前级电路的第一输出端，且与所述前级电路的第二输出端绝缘，栅极与所述第二PMOS管的栅极电连接至所述第一飞跨电容的第一端，漏极与所述第二PMOS管的漏极电连接至所述第二飞跨电容的第一端；所述第一飞跨电容的第二端电连接信号源的正端，所述第二飞跨电容的第二端电连接所述信号源的负端；所述第一PMOS管的衬底和源极，以及所述第二PMOS管的衬底和源极电连接后作为所述单级整流电路的输出端；所述输出电容电连接至所述输出端和地之间。
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