[发明专利]一种同步接口的SRAM设计方法在审
申请号: | 201610589548.3 | 申请日: | 2016-07-20 |
公开(公告)号: | CN107644662A | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 王洪 | 申请(专利权)人: | 北京迪文科技有限公司 |
主分类号: | G11C7/22 | 分类号: | G11C7/22 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100086 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及数据传输领域,特别涉及静态随机存取存储器作为媒介的数据传输领域。本发明提供一种同步接口的SRAM设计方法,它大大缩减了SRAM的引脚数量,缩小了实现同样功能的SRAM的面积。本发明主要包括以下部分首先,SRAM的接口为同步接口,内置CLK以及PLCK两个时钟周期。其次,在程序时钟周期下设垂直同步(帧同步),水平同步(行同步)。再者,对所有的数据区都保持可读的状态,同时,所有的数据区间隔着保持可写的状态,即保留一些数据区为无效区,直接略过,保证足够的空间进行数据阅读状态。 | ||
搜索关键词: | 一种 同步 接口 sram 设计 方法 | ||
【主权项】:
一种同步接口的SRAM设计方法,其SRAM与外部数据的接口为同步数据接口。
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