[发明专利]一种外覆绝缘材料导体的温度测量方法

摘要

本发明公开了一种外覆绝缘材料导体的温度测量方法，包括：建立导体在热稳态下的传热方程，基于热流密度平衡并忽略导体本体对绝缘层的热辐射建立所述传热方程；测量导体所处的环境空间温度和导体绝缘层外壁的温度，并获取各参数值，通过该传热方程计算获得导体本体的温度。本发明外覆绝缘材料导体的温度测量方法，利用热力学中的能量守恒规律，基于导体在热稳态下热流密度平衡建立传热方程，通过测量导体绝缘层外壁的温度以及导体所处的环境空间温度，实现了间接测量获得导体本体的温度，测量可靠性高。

主权项

一种外覆绝缘材料导体的温度测量方法，其特征在于，包括：建立导体在热稳态下的传热方程，基于热流密度平衡并忽略导体本体对绝缘层的热辐射建立所述传热方程，所述传热方程具体为：$\frac{t_0-t_1}{\underset{i=1}{\overset{n}{\Σ}}\frac{1}{2{\mathrm{\π\λ}}_{i-1}}\ln \frac{r_i}{r_{i-1}}}=h(t_1-t_2)+\mathrm{\ϵ}\mathrm{\σ}(t_1^4-t_2^4),$其中，t0为导体本体温度，t1为导体绝缘层外壁的温度，t2为环境空间温度，λ_i‑1为导体第i‑1层绝缘材料的导热系数，λ₀为导体本体的导热系数，r_i为导体第i层绝缘材料的半径，r_i‑1为导体第i‑1层绝缘材料的半径，r₀为导体本体的半径，h为导体绝缘层与空气之间的综合传热系数，ε为导体绝缘层的热发射率，σ为黑体辐射常数，n为导体绝缘材料层的层数；测量导体所处的环境空间温度和导体绝缘层外壁的温度，并获取各参数值，通过所述传热方程计算获得导体本体的温度。