[发明专利]一种两端口静态随机存储器单元在审
| 申请号： | 201610590310.2 | 申请日： | 2016-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN106067317A | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 熊保玉;武宝峰 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 王少文 |
| 地址： | 710055 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种两端口静态随机存储器单元，包括交叉耦合的反相器一、反相器二、NMOS晶体管N6、NMOS晶体管N7以及读端口，写字线WWL连接NMOS晶体管N6和NMOS晶体管N7的栅端，NMOS晶体管N7的漏端、反相器一的输入端以及反相器二的输出端连接于存储节点反BITB，反相器一的输出端、NMOS晶体管N6的漏端和反相器二的输入端均连接于存储节点BIT，NMOS晶体管N7的源端接写位线反WBLB，NMOS晶体管N6的源端接写位线WBL；读端口包括至少一个NMOS晶体管。解决了现有的两断口静态随机存储器版图面积大的技术问题，本发明通过减少晶体管的数量，缩小版图面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 端口 静态 随机 存储器 单元 | ||
【主权项】：
一种两端口静态随机存储器单元，包括交叉耦合的反相器一(301)、反相器二(302)、NMOS晶体管N6、NMOS晶体管N7以及读端口，写字线WWL连接NMOS晶体管N6和NMOS晶体管N7的栅端，NMOS晶体管N7的漏端、反相器一(301)的输入端以及反相器二(302)的输出端连接于存储节点反BITB，反相器一(301)的输出端、NMOS晶体管N6的漏端和反相器二(302)的输入端均连接于存储节点BIT，NMOS晶体管N7的源端接写位线反WBLB，NMOS晶体管N6的源端接写位线WBL；其特征在于：所述读端口包括至少一个NMOS晶体管。
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