[发明专利]一种室温铁磁半导体材料MnSiP2及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201610590747.6 | 申请日： | 2016-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN106252017B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 王善朋;陶绪堂;张翔;于童童 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01F1/40 | 分类号： | H01F1/40;H01F41/02 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司37219 | 代理人： | 王绪银 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种室温铁磁半导体材料MnSiP2及其制备方法和应用，该MnSiP2磁性半导体材料属于四方晶系，I‑42d空间群，晶胞参数为a＝5.5823(3),Z＝4。制备方法包括以下步骤(1)将Mn、Si和P一起研磨均匀，装入石英管内，抽真空后封烧石英管；(2)将石英管采用阶段性升温，再缓慢降温至室温；(3)取出结晶较好的料块，清洗干净，干燥处理，得到室温铁磁半导体材料MnSiP2。本发明首次合成了黄铜矿结构的MnSiP2磁性半导体材料，其居里温度为290K，可应用于制作自旋场效应晶体管、自旋发光二极管、自旋共振磁隧道结、光隔离器、磁传感器或非挥发存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 室温 半导体材料 mnsip2 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种室温铁磁半导体材料MnSiP2的制备方法，其特征是，包括以下步骤：(1)按摩尔比Mn:Si:P＝1:1:2.0～2.5的比例分别称取Mn、Si和P三种单质原料，将原料一起研磨均匀，装入石英管内，抽真空3×10‑4Pa～5×10‑4Pa后，封烧石英管;(2)将石英管采用阶段性升温，先以30℃/小时‑50℃/小时的升温速率升至450℃～500℃，恒温15小时～20小时，继续升温至反应温度950～1100℃，恒温反应20小时～30小时，最后以50小时～100小时缓慢降温至室温;(3)打开石英管，取出结晶较好的料块，用去离子水清洗干净，放置于烘箱中干燥处理，得到室温铁磁半导体材料MnSiP2。
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