[发明专利]正交相二维层状SiP单晶及薄膜的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201610590752.7 | 申请日： | 2016-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN106119960B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 王善朋;陶绪堂;李春龙;于童童 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/10 | 分类号： | C30B29/10;C30B9/10;C30B29/64 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王绪银 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种正交相二维层状SiP单晶及薄膜的制备方法及其应用，该方法包括以下步骤：(1)称取Si、P和Sn，Sn作为金属助熔剂，然后将三种原料装入石英管中，抽真空后烧结封管；(2)将石英管放入加热炉中，采用阶段性升温程序，Si和P充分化合反应；(3)o‑SiP成核并长大后，将石英管从炉膛取出并倒置，o‑SiP单晶与金属助熔剂Sn分离；(4)打开石英管取出料块，除去附着在o‑SiP表面的Sn助熔剂，清洗干净，得到片状o‑SiP晶体；(5)将o‑SiP晶体浸没于NaOH溶液中，超声后分离出沉淀物，清洗得到较大尺寸及高质量的正交相二维层状SiP单晶纳米薄膜；可用于饱和吸收体对激光产生调制、超短脉冲激光器的被动锁模以及制作光电子器件、辐射探测器或太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 交相 二维 层状 sip 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种正交相二维层状SiP单晶薄膜，其特征是，所述SiP单晶纳米薄膜的厚度为0.5nm‑10nm。
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