[发明专利]反相器及其制作方法有效
申请号: | 201610591444.6 | 申请日: | 2016-07-22 |
公开(公告)号: | CN107644878B | 公开(公告)日: | 2019-09-03 |
发明(设计)人: | 竺立强;晁晋予;肖惠 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L29/51;H01L21/84 |
代理公司: | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人: | 竺云;黄丽珍 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种反相器,包含晶体管与电阻,其中,晶体管包含:双电层栅介质层、位于双电层栅介质层的一侧的栅电极,以及位于双电层栅介质层的另一侧的至少一个侧向调控端、沟道、源极与漏极,其中,沟道分别与源极、漏极接触;并且,侧向调控端均不与沟道、源极与漏极电联通;并且电阻的一端与漏极电联通,另一端用于施加电源电压VDD;晶体管的栅电极作为输入端,漏极作为输出端,源极接地,至少一个侧向调控端用于施加固定偏压Vm,固定偏压Vm用于调整晶体管的阈值电压。本发明能够极大降低反相器的工作电压,降低制造成本,并能够实现反相器的平衡噪音容限,改善反相器的电学特性。 | ||
搜索关键词: | 反相器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种反相器,其特征在于,包含:晶体管与电阻,其中,所述晶体管包含:双电层栅介质层、位于所述双电层栅介质层的一侧的栅电极,以及位于所述双电层栅介质层的另一侧的至少一个侧向调控端、沟道、源极与漏极,其中,所述沟道分别与所述源极、所述漏极接触;并且,所述侧向调控端均不与所述沟道、所述源极与漏极电联通;并且所述电阻的一端与所述漏极电联通,另一端用于施加电源电压VDD;所述晶体管的栅电极作为输入端,所述漏极作为输出端,所述源极接地,至少一个所述侧向调控端用于施加固定偏压Vm,所述固定偏压Vm用于调整晶体管的阈值电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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