[发明专利]一种应用于爆炸物传感检测的多孔硅制备工艺在审
| 申请号： | 201610591722.8 | 申请日： | 2016-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN106044776A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 郭洪绪;郭志伟;孙洪来;郭延铭 | 申请（专利权）人： | 北京艾泰克科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;B82Y40/00;G01N21/63 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 倪章勇 |
| 地址： | 北京市石景山*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用于爆炸物传感检测的多孔硅制备工艺，将N型多孔硅进行电化学蚀刻和超声处理，用于探测爆炸物，根据制得的微米级和纳米级的光致发光多孔硅，进行爆炸物的传感探测，观察到了光致发光淬灭现象，纳米多孔硅的探测效果更高，与斯特恩‑沃尔默关系图吻合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 爆炸物 传感 检测 多孔 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种应用于爆炸物传感检测的多孔硅制备工艺，其特征在于：包括以下步骤：1）电化学蚀刻和粉碎：在乙醇氢氟酸溶液中，将N型硅片进行阳极蚀刻，制得光致发光多孔硅，在特氟龙容器中进行双电极恒电流蚀刻，制备纳米级多孔硅时，采用高精度恒流电源提供175mA/cm²阳极氧化电流并持续300秒，刻蚀期间需要300w钨丝灯提供照明，制备纳米级多孔硅粒子时，采用高精度恒流电源提供150mA/cm²阳极氧化电流并持续10.908秒，或者400mA/cm²阳极氧化电流并持续0.363秒，分别进行30个循环，刻蚀期间需要300w钨丝灯提供照明；2）钝化处理：将步骤1）中制得的多孔硅样品至于真空舒伦克烧瓶中，用注射器加入1毫升正丁基锂并放置3小时，用注射器取走溶液，将烧瓶至于丙酮和干冰冰浴中冷却，加入3毫升三氯乙酸，然后将烧瓶至于室温下冷却。
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