[发明专利]凹入式通道半导体非易失性存储装置及其制造方法

摘要

本发明揭露一种凹入式通道半导体非易失性存储装置。凹入式通道MOSFET装置是通过蚀刻深入硅基板来形成装置通道，已经应用于先进的DRAM工艺世代，本发明利用该凹入式通道MOSFET装置的相同蚀刻工艺以形成该凹入式通道半导体非易失性存储装置。在凹入式通道洞蚀刻工艺之后，穿隧氧化层便形成于硅表面。电荷储存物质沉积嵌入该凹入式通道洞，而耦合介电层形成于该电荷储存物质的顶部。之后，再沉积与蚀刻栅极材料以形成控制栅。因为凹入式通道嵌入于硅基板的下方，可大幅降低半导体非易失性存储器的缩放挑战，如通道长度、浮动栅干扰、栅极堆叠蚀刻的高外观比以及形成栅极的机械稳定性。

主权项

一种非易失性存储装置，其特征在于，包括：一基板，具有一个主动区，所述主动区被一场隔离结构所定义，所述主动区上具有一凹入式通道洞；一穿隧氧化层，形成于所述凹入式通道洞的内壁上与所述主动区的表面上；一电荷储存结构，填满所述凹入式通道洞以及形成于位在所述凹入式通道洞内部分的所述穿隧氧化层上；一耦合介电层，形成于所述电荷储存结构与所述场隔离结构上；一控制栅，形成于所述耦合介电层上；以及一源极区及一漏极区，形成于所述主动区的上方且邻近所述电荷储存结构。