[发明专利]在图像传感器中制造深沟槽隔离结构的方法及其器件在审
| 申请号： | 201610592321.4 | 申请日： | 2016-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN106486504A | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 陈信宏;杨敦年;刘人诚;亚历克斯·卡尔尼茨基;王文德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种方法，该方法包括在衬底上形成深沟槽隔离结构，该衬底具有与正面表面相对的背面表面，深沟槽隔离结构向着正面表面打开。氧化物层形成在衬底的正面表面上以及深沟槽隔离结构的侧壁和底部上。去除衬底的正面表面上的氧化物层。去除衬底的位于深沟槽隔离结构的开口处的部分并且在衬底上形成外延层。本发明实施例涉及在图像传感器中制造深沟槽隔离结构的方法及其器件。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 制造 深沟 隔离 结构 方法 及其 器件 | ||
【主权项】：
一种制造图像传感器件的方法，包括：在衬底上形成深沟槽隔离结构，所述衬底具有与正面表面相对的背面表面，所述深沟槽隔离结构向着所述正面表面打开；在所述衬底的所述正面表面上以及在所述深沟槽隔离结构的侧壁和底部上形成氧化物层；去除所述衬底的所述正面表面上的所述氧化物层；去除所述衬底的位于所述深沟槽隔离结构的所述开口处的部分；以及在所述衬底上形成外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
