[发明专利]校准椭偏仪的膜厚样片、检验样片及其检验方法

摘要

本发明公开了一种校准椭偏仪的膜厚样片、检验样片及其检验方法，涉及椭偏仪校准技术领域，包含多组附着二氧化硅或氮化硅的硅片，二氧化硅薄膜的厚度≤1000nm，氮化硅薄膜的厚度≤200nm，覆盖了现在半导体工艺二氧化硅薄膜和氮化硅薄膜的应用范围，硅片上还设有定标图形，定标图形围绕的区域为定标区域，即校准椭偏仪时测量的区域，定标区域位于硅片的中心区域，每次校准椭偏仪的区域一致，厚度一致，保证校准的准确性，还公开了校准椭偏仪的膜厚样片的检验样片和检验方法，可以对校准椭偏仪的膜厚样片进行检验，检验膜厚样片是否能够校准椭偏仪。

主权项

1.一种校准椭偏仪的膜厚样片的检验方法，其特征在于，利用所述椭偏仪的膜厚样片的检验样片进行检验，其中，所述膜厚样片包括若干个硅片(1)，所述硅片(1)上表面附着二氧化硅薄膜或者氮化硅薄膜，二氧化硅薄膜的厚度≤1000nm，氮化硅薄膜的厚度≤200nm，硅片(1)上还设有定标图形(3)，定标图形(3)环绕区域为定标区域(2)，所述定标区域(2)位于硅片(1)中心区域，定标区域(2)为二氧化硅薄膜或氮化硅薄膜，所述若干个硅片(1)表面附着二氧化硅薄膜或者氮化硅薄膜膜厚不同，相互构成一个膜厚不同的膜厚样片系列；所述检验样片包括一个检验样片系列，检验样片系列中的每一片硅片(1)均附有四种开放膜图形，并与所述膜厚样片系列中的每一片有相同材质相同厚度的薄膜，开放膜图形与定标区域(2)在硅片(1)上的位置相同；所述检验方法包含以下步骤：1)准备校准椭偏仪的膜厚样片和检验样片；2)取其中一个带有开放膜图形的检验样片，用白光干涉仪、光谱型椭偏仪、光谱型椭偏仪、台阶仪分别对对应的开放膜图形进行厚度测量验证；如果厚度值在设定值范围内，进行下一步,反之，则对应此片检验样片的校准椭偏仪的膜厚样片不合格；3)取其中一个带有定标图形的膜厚样片，与上述步骤中所用检验样片具有相同材质相同厚度的薄膜，用椭偏仪对定标区域的上中下左右五个位置进行测量，以五个位置测量结果的最大差值作为该样片的均匀性结果，如果均匀性结果小于5％，证明此膜厚样片符合校准椭偏仪膜厚样片的要求,反之，此片校准椭偏仪的膜厚样片不合格；4)按照步骤2和步骤3的方法依次对一组校准椭偏仪的膜厚样片进行测量检验，如果每片椭偏仪的检验样片都在设定值范围内，一组校准椭偏仪的膜厚样片也均符合要求，那么可以将带有定标图形和定标区域的膜厚样片作为校准椭偏仪的膜厚样片用来校正椭偏仪。