[发明专利]LED芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201610594128.4 | 申请日： | 2016-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN106067498A | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 李庆;王磊;张广庚;陈立人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED芯片及其制造方法，所述LED芯片包括衬底、位于衬底上的半导体外延结构、以及位于半导体外延结构上的P电极和N电极，所述衬底包括上部衬底和下部衬底，所述上部衬底截面呈等腰梯形，上部衬底的两个侧面为对称设置的第一斜面，下部衬底截面呈等腰梯形或倒等腰梯形，下部衬底的两个侧面为对称设置的第二斜面，所述半导体外延结构的两个侧面沿上部衬底的第一斜面倾斜。本发明通过改变劈裂位置达到改变衬底形貌的目的，在不影响劈裂良率的前提下，提高了LED芯片的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，所述LED芯片包括衬底、位于衬底上的半导体外延结构、以及位于半导体外延结构上的P电极和N电极，其特征在于，所述衬底包括上部衬底和下部衬底，所述上部衬底截面呈等腰梯形，上部衬底的两个侧面为对称设置的第一斜面，下部衬底截面呈等腰梯形或倒等腰梯形，下部衬底的两个侧面为对称设置的第二斜面，所述半导体外延结构的两个侧面沿上部衬底的第一斜面倾斜。
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