[发明专利]双异质氮化镓基场效应晶体管结构及制作方法在审
| 申请号： | 201610594320.3 | 申请日： | 2016-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN106024881A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 王翠梅;冯春;王晓亮;王权;肖红领;姜丽娟;殷海波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种双异质氮化镓基场效应晶体管结构，包括：一衬底；一成核层制作在衬底上面；一Fe有意掺杂铝镓氮掺杂层制作在成核层上面；一非有意掺杂高质量铝镓氮外延层制作在Fe有意掺杂铝镓氮掺杂层上面；一非有意掺杂氮化镓沟道层制作在非有意掺杂高质量铝镓氮外延层上面；一氮化铝插入层制作在非有意掺杂氮化镓沟道层上面；一非有意掺杂铝镓氮势垒层制作在氮化铝插入层上面；一非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层上面，本发明可以提高外延材料的晶体质量，达到高电子限阈和高晶体质量的双赢。 | ||
| 搜索关键词： | 双异质 氮化 场效应 晶体管 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种双异质氮化镓基场效应晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上面；一Fe有意掺杂铝镓氮掺杂层，该Fe有意掺杂铝镓氮掺杂层制作在成核层上面；一非有意掺杂高质量铝镓氮外延层，该非有意掺杂高质量铝镓氮外延层制作在Fe有意掺杂铝镓氮掺杂层上面；一非有意掺杂氮化镓沟道层，该非有意氮化镓沟道层制作在非有意掺杂高质量铝镓氮外延层上面；一氮化铝插入层，该氮化插入铝层制作在非有意掺杂氮化镓沟道层上面，该氮化铝插入层的厚度为0.7nm‑5nm；一非有意掺杂铝镓氮势垒层，该非有意掺杂铝镓氮势垒层制作在氮化铝插入层上面，该非有意掺杂铝镓氮势垒层0的材料为AlzGa1‑zN，其中铝的组分z＝0.10‑0.25，该非有意掺杂铝镓氮势垒层的厚度为15nm‑25nm；一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层上面，该非有意掺杂氮化镓盖帽层的厚度为1nm‑5nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610594320.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
