[发明专利]一种高电阻率硅芯及其生长方法在审
| 申请号： | 201610594528.5 | 申请日： | 2016-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN107653491A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 梁国东;曲雁鹏;吴国柱;常占虎;王平;马德平 | 申请（专利权）人： | 新特能源股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B25/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,姜春咸 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐国*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电阻率硅芯及其生长方法，该方法包括以下步骤1)在硅芯原料棒上涂刷掺杂剂；2)对已涂刷掺杂剂的硅芯原料棒进行加热形成已涂刷掺杂剂的硅芯原料棒的加热区，再对已涂刷掺杂剂的硅芯原料棒的加热区加热形成熔化区；3)熔化区在籽晶带动下提升、结晶，拉制成高电阻率硅芯。本发明的方法避免了现有技术中将密封硅芯原料棒进行喷洒掺杂剂，转运工序中硅芯原料棒上粘覆的大量流动性的掺杂剂造成的污染。本发明的方法无需将掺杂剂渗透到硅芯原料棒的内部，便将掺杂剂均匀的掺杂到熔化区内的硅芯原料内，进行后续的在籽晶带动下提升、结晶。本发明中的高电阻率硅芯的合格率由原来的90％提升到97％，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻率 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种高电阻率硅芯的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在硅芯原料棒上涂刷掺杂剂；2)对已涂刷掺杂剂的硅芯原料棒进行加热形成已涂刷掺杂剂的硅芯原料棒的加热区，再对所述已涂刷掺杂剂的硅芯原料棒的加热区加热形成熔化区；3)所述熔化区在籽晶带动下提升、结晶，拉制成高电阻率硅芯。
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