[发明专利]一种反相器结构及其显示面板

摘要

本发明公开一种反相器结构及其显示面板。该反相器结构包括：第一晶体管管和第二晶体管，第一晶体管包括第一多晶硅层、第一栅极、第一源极以及第一漏极，第二晶体管包括第二多晶硅层、第二栅极、第二源极以及第二漏极。本发明提供的反相器结构由于设有第一漏极区域和第二漏极区域，第二漏极区域与第一漏极区域设置在同一行并且相邻设置，可以减少反相器结构的高度和面积，从而达到减少显示面板的高度和面积，以便节约成本。

主权项

1.一种反相器结构，其特征在于，所述反相器结构至少包括：第一晶体管，包括：第一多晶硅层，包括第一源极区域、第一漏极区域以及第一沟道区域，所述第一沟道区域设置在所述第一源极区域和所述第一漏极区域之间；第一栅极，设置在所述第一沟道区域上；第一源极，设置在所述第一源极区域上，与第一电平连接；第一漏极，设置在所述第一漏极区域上；第二晶体管，包括：第二多晶硅层，与所述第一多晶硅层相邻设置，包括第二源极区域、第二漏极区域以及第二沟道区域，所述第二漏极区域与所述第一漏极区域设置在同一行并且相邻设置，所述第二沟道区域设置在所述第二源极区域和所述第二漏极区域之间；第二栅极，设置在所述第二沟道区域上，与所述第一栅极电性连接，形成所述反相器的输入端；第二源极，设置在所述第二源极区域上，与第二电平连接；第二漏极，设置在所述第二漏极区域上，且与所述第一漏极电性连接，形成所述反相器的输出端；所述第一漏极区域和所述第二漏极区域分别为长条状结构，且所述第一漏极区域和所述第二漏极区域排列在同一行中；所述第一漏极区域包括第一主体部和第一延伸部，所述第一延伸部从所述第一主体部远离所述第一沟道区域的边缘处向所述第二漏极区域的方向延伸；所述第二漏极区域包括第二主体部和第二延伸部，所述第二延伸部从所述第二主体部远离所述第二沟道区域的边缘处向所述第一漏极区域的方向延伸；其中，所述第一延伸部的长度和所述第二延伸部的长度之和小于所述第一主体部的长度或者所述第二主体部的长度。