[发明专利]一种发光二极管芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201610594796.7 | 申请日： | 2016-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN106098879B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 高百卉;林晓文 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括依次层叠的N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、P型电流扩展层，所述发光二极管芯片还包括非吸光衬底、AB胶、以及硅化物薄膜，所述硅化物薄膜层叠在所述P型电流扩展层上，所述AB胶涂覆在所述非吸光衬底上，所述非吸光衬底和所述P型电流扩展层之间通过所述AB胶和所述硅化物薄膜键合。本发明通过AB胶和硅化物薄膜实现非吸光衬底与LED外延片的键合，采用非吸光衬底替代GaAs衬底，避免由于衬底吸光造成LED芯片亮度较低，提高了LED芯片的发光亮度，可以满足用户需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在第一GaAs衬底上依次生长N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、P型电流扩展层；在所述P型电流扩展层上沉积第一硅化物薄膜；将A胶和B胶均匀混合形成第一AB胶，并抽取所述第一AB胶中的气泡；在第二GaAs衬底上沉积第二硅化物薄膜，并将所述第一AB胶旋涂在所述第二硅化物薄膜上；将所述第一硅化物薄膜和所述第一AB胶键合；在所述第二GaAs衬底上形成保护层；去除所述第一GaAs衬底；在所述N型电流扩展层上沉积第三硅化物薄膜；将A胶和B胶均匀混合形成第二AB胶，并抽取所述第二AB胶中的气泡；将所述第二AB胶旋涂在非吸光衬底上；将所述第三硅化物薄膜和所述第二AB胶键合；去除所述第二GaAs衬底、所述第二硅化物薄膜、所述第一AB胶、所述第一硅化物薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610594796.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
