[发明专利]一种聚偏氟乙烯/纳米二氧化硅杂化膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201610595016.0 | 申请日： | 2016-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN106178987A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 孙俊芬;赵敬楠;扶胜娟 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | B01D71/34 | 分类号： | B01D71/34;B01D69/12;B01D67/00 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达;魏峯 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种聚偏氟乙烯/纳米二氧化硅杂化膜及其制备方法，所述杂化膜的成分包括：聚偏氟乙烯，致孔剂，正硅酸乙酯TEOS和硅烷偶联剂。制备方法包括：在聚偏氟乙烯中，加入致孔剂，溶解在溶剂中，在40～60℃下搅拌，得到聚偏氟乙烯溶液；将TEOS与硅烷偶联剂混合，溶于溶剂中，然后搅拌条件下加到聚偏氟乙烯的溶液中，滴入盐酸，在60～80℃下继续搅拌12～24h，静置脱泡，刮膜，固化24～48h，得到聚偏氟乙烯/纳米二氧化硅杂化膜。本发明的方法简单，所制备的杂化膜结合了有机膜的分离特性和无机纳米粒子的增强和亲水性的优点，具有较好的力学性能、分离性能和亲水性能，是一种有前景的分离膜材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 聚偏氟 乙烯 纳米 二氧化硅 杂化膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种聚偏氟乙烯/纳米二氧化硅杂化膜，其特征在于，所述杂化膜的原料按质量百分比包括：聚偏氟乙烯为10～18wt％，致孔剂为3～10wt％和正硅酸乙酯TEOS为1～7wt％，余量为硅烷偶联剂、水和盐酸。
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