[发明专利]一种自旋力矩转移磁性随机存储器的写电路结构有效
| 申请号： | 201610595159.1 | 申请日： | 2016-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN106205668B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 毛欣 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 33240 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 杨天娇<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自旋力矩转移磁性随机存储器的写电路结构，包括磁性隧道结，以及源线、位线和字线、第一开关管、第二开关管、控制单元和电容；其中，所述磁性隧道结的自由层与第一开关管的漏极相连，所述磁性隧道结的参考层与第二开关管的源极相连；所述第一开关管的源极接源线，所述第二开关管的漏极接位线；所述电容的一端接地，另一端连接到控制单元的输入端，并连接第一开关管的漏极或磁性隧道结的自由层；所述控制单元的输入端分别连接字线、源线或位线、以及第一开关管的漏极或磁性隧道结的自由层，控制单元输出端接第一开关管和第二开关管的栅极。本发明能够避免重复的写入动作，达到降低MRAM写功耗和芯片动态功耗的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自旋 力矩 转移 磁性 随机 存储器 电路 结构 | ||
【主权项】：
1.一种自旋力矩转移磁性随机存储器的写电路结构，包括磁性隧道结，以及源线、位线和字线，其特征在于，所述写电路结构还包括第一开关管、第二开关管、控制单元和电容；/n其中，所述磁性隧道结的自由层与第一开关管的漏极相连，所述磁性隧道结的参考层与第二开关管的源极相连；所述第一开关管的源极接源线，所述第二开关管的漏极接位线；/n所述电容的一端接地，另一端连接到控制单元的输入端，并连接第一开关管的漏极或磁性隧道结的自由层；/n所述控制单元的输入端分别连接字线、源线或位线、以及第一开关管的漏极或磁性隧道结的自由层，控制单元输出端接第一开关管和第二开关管的栅极。/n
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