[发明专利]一种LED芯片的制备方法及采用该方法制备的LED芯片

摘要

本发明提供了一种LED芯片的制备方法及采用该方法制备的LED芯片，LED芯片包括依次生长在衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层、电流阻挡层以及覆盖在电流阻挡层上的ITO透明导电层，N型半导体层制作有N电极，ITO透明导电层上制作P电极，所述N电极外侧的芯片上表面沉积有SiO₂保护层，P电极外侧的芯片上表面依次沉积有SiON增透膜和SiO₂保护层。本发明由于在ITO透明导电层的表面上沉积了一层SiON增透膜和使用磷酸溶液蚀刻SiON增透膜，使得在ITO透明导电层在芯片的制作流程中避免损伤和污染，提高了ITO透明导电层质量，使得LED芯片亮度提升的同时芯片电压下降，使LED更加节能环保。

主权项

一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤A、在衬底(1)上先后形成包含N型半导体层(2)、发光层(3)及P型半导体层(4)的外延层和ITO透明导电层(5)；步骤B、在ITO透明导电层(5)上沉积一层SiON增透膜(6)；步骤C、通过光刻和刻蚀形成N型半导体层(2)上的台阶；使得上台阶部(21)上的发光层(3)、P型半导体层(4)、ITO透明导电层(5)和SiON增透膜(6)均保留，而下台阶部(22)上的发光层(3)、P型半导体层(4)、ITO透明导电层(5)和SiON增透膜(6)均被蚀刻去除；步骤D、在包括SiON增透膜(6)和N型半导体层的下台阶部(22)的LED整个上表面整面形成一层SiO₂保护层(7)；步骤E、通过光刻和蚀刻SiO₂保护层(7)和SiON增透膜(6)而在ITO透明导电层(5)上方形成用于设置P电极(9)的凹槽P，且通过光刻和蚀刻SiO₂保护层(7)在所述下台阶部(22)上方形成用于设置N电极(8)的凹槽N；其中，在形成凹槽P时，先使用BOE溶液蚀刻SiO₂保护层(7)，后使用磷酸溶液蚀刻SiON增透膜(6)；步骤F、在所述凹槽P处制作P电极和在所述凹槽N处制作N电极。