[发明专利]一种背接触太阳能电池及太阳能电池组件有效
申请号: | 201610595460.2 | 申请日: | 2016-07-26 |
公开(公告)号: | CN106057923B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 蒋秀林;孙寿亮;黄卓;周艳方;单伟 | 申请(专利权)人: | 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/05 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 李海波;刘艳丽 |
地址: | 225131 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种背接触太阳能电池,包括n型硅基体、p+掺杂区域、n+掺杂区域、钝化减反层、正电极细栅和负电极细栅,还包括正电极导电线和负电极导电线,正电极导电线设置在正电极细栅和负电极细栅上,正电极导电线与正电极细栅相接触部位设有导电材料,正电极导电线与负电极细栅相接触部位的正电极导电线上包裹有绝缘材料,负电极导电线设置在正电极细栅和负电极细栅上,负电极导电线与负电极细栅相接触部位设有导电材料,负电极导电线与正电极细栅相接触部位的负电极导电线上包裹有绝缘材料。该背接触太阳能电池能减少细栅电阻的影响,降低银浆的使用量,提高填充因子,减少背面金属对背面入射光的遮挡。 | ||
搜索关键词: | 一种 接触 太阳能电池 组件 | ||
【主权项】:
一种背接触太阳能电池,包括n型硅基体、p+掺杂区域、n+掺杂区域、钝化减反层、正电极细栅和负电极细栅,所述p+掺杂区域、n+掺杂区域交替排列分布在所述n型硅基体的背面,所述钝化减反层设置在所述p+掺杂区域和n+掺杂区域上,所述正电极细栅设置在所述钝化减反层上且与所述p+掺杂区域相连接,所述负电极细栅设置在所述钝化减反层上且与所述n+掺杂区域相连接,其特征是还包括正电极导电线和负电极导电线,所述正电极导电线设置在所述正电极细栅和负电极细栅上,所述正电极导电线与所述正电极细栅相接触部位设有导电材料,所述正电极导电线与所述负电极细栅相接触部位的正电极导电线上包裹有绝缘材料,所述负电极导电线设置在所述正电极细栅和负电极细栅上,所述负电极导电线与所述负电极细栅相接触部位设有导电材料,所述负电极导电线与所述正电极细栅相接触部位的负电极导电线上包裹有绝缘材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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