[发明专利]一种超级结肖特基二极管有效
| 申请号： | 201610596069.4 | 申请日： | 2016-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN106024915B | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 任敏;林育赐;包惠萍;罗蕾;李泽宏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/47;H01L21/329 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，涉及一种超级结肖特基二极管。本发明的特征在于：通过在器件体内沟槽处形成肖特基结，增大了肖特基结的有效面积，从而提高器件的电流能力。同时在反向偏压时，利用超级结结构提高器件的反向击穿电压，减小器件的反向漏电。采用本发明可以具有较大的正向电流、较低的导通电阻以及较好的反向击穿特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超级 结肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种超级结肖特基二极管，包括从下至上依次层叠设置的金属化阴极(1)、N+衬底(2)、N型漂移区(3)和金属化阳极(9)；所述N型漂移区(3)中具有P型埋层(4)、P型柱区(5)、P+重掺杂区(6)、N型轻掺杂区(8)以及沟槽(7)；所述P型埋层(4)位于沟槽(7)的正下方，且P型埋层(4)的上表面与沟槽(7)的下表面接触；所述P型柱区(5)位于相邻两个沟槽(7)之间；所述P+重掺杂区(6)位于P型柱区(5)的正上方，且P+重掺杂区(6)的下表面与P型柱区(5)的上表面接触；所述N型轻掺杂区(8)位于沟槽(7)的侧面及N型漂移区(3)的上表面；金属填充在沟槽(7)中且覆盖在N型轻掺杂区(8)上表面，所述金属与N型轻掺杂区(8)形成肖特基结；所述金属的上表面与金属化阳极(9)的下表面接触，所述P+重掺杂区(6)的上表面与金属化阳极(9)的下表面接触；所述P型埋层(4)下表面的结深与P型柱区(5)下表面的结深相同。
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