[发明专利]一种增加开态电流的隧穿场效应晶体管在审
| 申请号： | 201610596124.X | 申请日： | 2016-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN106206703A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 王向展;曹建强;马阳昊;夏琪;李竟春 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 张杨 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于超大规模集成电路领域中逻辑器件与电路领域，具体为一种增加开态电流的隧穿场效应晶体管。本发明通过在源区与漏区之间设置低K介质区将两者隔离，本征区设于源区之上，使本征区与漏区不直接相连，并在两者之间设有一层导电通道，导电通道位于低K介质区之上。本发明的结构减弱了传统的横向TFET的双极性效应。由于低K介质的使用，减少了漏区到本征区的接触，减弱了双极性效应，利于器件的彻底关断。利用低K介质与高K侧墙增大隧穿结区域的电场。采用高介材料的侧墙(钝化层)来增大TFET的开态电流。本发明减弱了TFET的双极性效应，增大了开态电流，且与CMOS工艺兼容，低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增加 电流 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种增加开态电流的隧穿场效应晶体管，包括源区、漏区、栅氧化层、源电极、栅电极、漏电极、侧墙、本征区，其特征在于：源区与漏区之间设有低K介质区将两者隔离，本征区位于源区之上，且在本征区与漏区不直接相连，两者之间设有一层导电通道；导电通道位于低K介质区之上；源区掺杂浓度1×1018cm‑3～1×1020cm‑3，漏区掺杂浓度1×1018～1×1019cm‑3，导电通道掺杂浓度不超过1×1013cm‑3；侧墙设置于栅电极两侧，其介电常数高于SiO2的介电常数；所述低K介质是指介电常数低于器件有源区介电常数的材料，且为绝缘介质；源区载流子隧穿到本征区经导电通道输运至漏区。
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