[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201610596216.8 | 申请日： | 2016-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN106159052B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 胡任浩 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(浙江)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 徐立<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、发光层、P型电子阻挡层、P型GaN层，蓝宝石衬底上设有若干凸起，蓝宝石衬底的中心设置的凸起的尺寸与蓝宝石衬底的边缘设置的凸起的尺寸不同。本发明通过蓝宝石衬底的中心设置的凸起的尺寸与蓝宝石衬底的边缘设置的凸起的尺寸不同，对蓝宝石衬底的边缘上生长的GaN材料和蓝宝石衬底的中心上生长的GaN材料产生不同的作用力，可以缓解由于蓝宝石衬底的边缘温度会高于蓝宝石衬底的中心温度而造成LED的发光波长不均匀的情况，提高LED的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、发光层、P型电子阻挡层、P型GaN层，其特征在于，所述蓝宝石衬底上设有若干凸起，所述蓝宝石衬底的中心设置的凸起的尺寸小于所述蓝宝石衬底的边缘设置的凸起的尺寸，所述蓝宝石衬底的边缘经过载具与托盘接触，所述发光层包括交替层叠的InGaN量子阱层和GaN量子垒层。/n
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