[发明专利]适用于存储单元的具备独立三栅结构的FinFET器件

摘要

本发明公开了一种适用于存储单元的具备独立三栅结构的新型FinFET器件，该器件结构包括：衬底、氧化物层、鳍形结构、栅极金属层、栅极介质层及侧墙，栅极介质层包括：设置在鳍形结构左侧的左侧栅极介质层、设置在鳍形结构右侧的右侧栅极介质层、以及设置在鳍形结构顶部的顶部栅极介质层，顶部栅极介质层为U形，由于采用U型结构的栅极介质层，降低了顶部栅极金属层与底部栅极金属层之间的寄生电容，提高了顶部栅极金属层对沟道的控制能力。本发明提出的具备独立三栅结构的新型FinFET器件表现出的栅控特性，可实现SRAM存储单元所需的较高读取静态噪声容限和写入能力，并有效提高SRAM的读写稳定性，从而进一步提高静态存储电路的性能。

主权项

1.一种适用于存储单元的具备独立三栅结构的FinFET器件，其特征在于，包括如下结构：衬底(1)；氧化物层(2)，其位于所述衬底(1)的表面，中央具有空置的条状区域；鳍形结构(3)，其透过所述空置的条状区域与所述衬底(1)连接，形成中央的沟道区及两端的源区(3a)和漏区(3b)；栅极介质层(5)，其垂直设置在所述鳍形结构(3)的沟道区上且包围所述沟道区；所述栅极介质层(5)包括：设置在所述鳍形结构(3)左侧的左侧栅极介质层(5a)、设置在所述鳍形结构(3)右侧的右侧栅极介质层(5b)、以及设置在所述鳍形结构(3)顶部的顶部栅极介质层(5c)，所述顶部栅极介质层(5c)为U形；栅极金属层(4)，其包括：左侧栅极金属层(4a)，其位于所述顶部栅极介质层(5c)、所述左侧栅极介质层(5a)及所述氧化物层(2)之间；右侧栅极金属层(4b)，其位于所述顶部栅极介质层(5c)、所述右侧栅极介质层(5b)及所述氧化物层(2)之间；顶部栅极金属层(4c)，其位于所述顶部栅极介质层(5c)的上方；及侧墙(10)，其设置在所述栅极介质层(5)与所述栅极金属层(4)的两侧。