[发明专利]自对准接触孔的制备方法

摘要

本发明提供一种自对准接触孔的制备方法，在自对准接触孔工艺的刻蚀、干法去胶以湿法清洗等各个阶段过程中均实施了对聚合物分布情况的监测和控制，并将收集的前一步骤后的聚合物分布情况反馈到后一步骤中的工艺配方中，从而使得后一步骤中具有较高的去除率/刻蚀率、良好的去除均匀性、可控的开口和接触孔侧壁形貌和特征尺寸以及较少的下层膜层的损伤等，大大改善了所述后一步骤后的工艺效果，进而可以保证自对准接触孔刻蚀的均一性，避免晶圆边缘区域的自对准接触孔中的聚合物残留过多，提高器件的电学性能和良率。

主权项

1.一种自对准接触孔的制备方法，其特征在于，包括：沉积步骤：在衬底晶圆的表面依次形成自对准接触阻挡层以及具有自对准接触孔图案的光刻胶层；自对准接触孔刻蚀步骤：以所述光刻胶层为掩膜，使用氟碳比不大于2的氟碳化合物气体对所述自对准接触阻挡层进行刻蚀，直至暴露出所述衬底晶圆的表面，以形成贯穿所述自对准接触阻挡层的自对准接触孔，并监测所述自对准接触孔中的聚合物分布；干法去胶步骤：根据所述自对准接触孔刻蚀步骤中监测的聚合物分布结果，调整干法去胶工艺参数，去除所述光刻胶层，并再次监测所述自对准接触孔中的聚合物分布；湿法清洗步骤：根据所述干法去胶步骤中监测的聚合物分布结果，调整湿法清洗胶工艺参数，对所述衬底晶圆进行清洗，并再次监测所述自对准接触孔中的聚合物分布以用于调整后续晶圆的自对准接触孔制备过程中的工艺参数。