[发明专利]消除纵梁形式的多晶硅残留的方法以及半导体制造方法

摘要

本发明提供一种消除纵梁形式的多晶硅残留的方法以及半导体制造方法。在存储器的外围区域中，在硅片中形成浅沟槽隔离，而且在硅片上依次形成第一多晶硅层、第一氮化硅层、氧化物层和第二多晶硅层；对第二多晶硅层进行刻蚀，完全刻蚀掉外围区域中的第二多晶硅层，残留部分氧化物层；在外围区域中依次沉积氧化物和氮化硅，使残留的部分氧化物层增厚而形成增厚的氧化物层，并形成第二氮化硅层；对第二氮化硅层、增厚的氧化物层和第一氮化硅层执行刻蚀，在浅沟槽隔离的侧壁上形成浅沟槽隔离侧壁；对第一多晶硅层进行刻蚀，仅仅留下处于浅沟槽隔离侧壁下方的残留多晶硅；利用NH₃.H₂O与H₂O₂组成的溶液对外围区域进行处理；对侧壁残留多晶硅进行刻蚀去除。

主权项

1.一种消除纵梁形式的多晶硅残留的方法，其特征在于包括：在存储器工艺中，在存储器的外围区域中，在硅片中形成浅沟槽隔离，而且在硅片上依次形成第一多晶硅层、第一氮化硅层、氧化物层和第二多晶硅层；对第二多晶硅层进行刻蚀，从而完全刻蚀掉外围区域中的第二多晶硅层，其中部分刻蚀氧化物层，而残留部分氧化物层；在外围区域中依次沉积氧化物和氮化硅，使得残留的部分氧化物层增厚而形成增厚的氧化物层，而且形成第二氮化硅层；对第二氮化硅层、增厚的氧化物层和第一氮化硅层执行刻蚀，从而在浅沟槽隔离的侧壁上形成浅沟槽隔离侧壁；对第一多晶硅层进行刻蚀，从而仅仅留下处于浅沟槽隔离侧壁下方的残留多晶硅；利用NH₃.H₂O与H₂O₂组成的溶液对外围区域进行处理；在对外围区域进行处理之后对残留多晶硅进行刻蚀去除。